【短线题材】日韩贸易战僵持不下，内存产品涨势汹汹，4股望受益

日本在7月1日宣布，将从7月4日开始限制对韩国出口部分制造芯片和智能手机的材料。在出口限制生效后，已经对三星电子和SK海力士等韩国科技企业带来影响，预计两家公司的库存备货只够供应一两个月。在这样的大背景下，7月初三星率先对工厂顾客涨价，涨价涉及的品类为DDR3、EMMC和Nand Flash。特别是三星8GB、16GBEMMC最近价格涨幅较大，均在10%左右。

从去年初到现在，全球内存价格连续下跌，目前处于历史低位，但目前涨价预期强烈。除了旺季需求及产能削减两大因素之外，日本对出口韩国半导体材料实施限制的事件性因素也不容忽视。考虑到韩国三星、SK海力士在全球内存市场的地位，涨价或不可避免。

值得注意的是，韩国的三星电子和SK海力士在全球的半导体存储器领域一直都处于垄断地位，在DRAM内存领域，这两家韩国企业的全球市场份额达到了七成，在NAND闪存领域的市场占有量达到了五成。其中，三星全球NAND市占逾三成，此次缩减逾二成产出，等于全球将减少逾6%至8%供应量，加上东芝NAND工厂上月受强震影响产能估达3%，合计本月起，全球NAND产出将减少近一成，且美光也宣布本季减产五成NAND芯片，预料在库存快速消化及未来供给大幅缩减下，NAND芯片恐出现缺货，价格也将结束长达二年多的跌势。

日本对韩国的材料出口限制将会直接影响韩国三星、LG、SK海力士旗下的内存未来价格。目前消息称SK海力士的库存不足三个月，而三星尚在评估，如果未来得不到充足的材料供应将会停产。而韩国三星和SK海力士两家公司占有全球70%左右的内存和50%左右的闪存市场，受其影响，全球的内存、闪存产品的价格可能会迎来涨价潮。

据国联证券分析，自上月东芝工厂因强震停工，NANDFlash芯片产能减少约3%，叠加近期日韩贸易摩擦，NANDFlash芯片产能或继续减少7%。预计在库存快速消化及未来供给缩减下，NANDFlash芯片价格或将结束长达二年多的跌势。同时，若日韩贸易谈判再僵持，下季DRAM合约价也将止跌反弹，出现NAND与DRAM两大内存“双涨”效应。

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